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提純基體：減少硬鋁絲中雜質（如 Fe、Si）含量，降低電子散射，可通過真空熔煉、區(qū)域熔煉提升鋁純度至 99以上，使減少導電阻礙。
優(yōu)化熱處理：采用 “固溶 + 時效” 工藝，控制加熱溫度（500-550℃）與保溫時間，使合金元素（如 Cu、Mg）形成細小均勻析出相，減少對電子傳導的干擾，同時 保 證 硬度。
改善微觀結構：通過冷軋、拉拔等形變工藝細化晶粒，減少晶界數量，降低晶界處電子散射；控制形變率（如 80%-90%），避免過度形變導致晶格畸變。
表面處理：去除表面氧化膜（如化學酸洗、電解拋光），減少接觸電阻；必要時鍍銀 / 鍍銅，提升表面導電性能，適用于高要求場景。
